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怀远校区德言楼118室
马占红,男,1992年4月出生,宁夏同心人,中共党员,工学博士,讲师,硕士生导师。
学习经历:
2011.9-2015.6,北京科技大学,学士
2015.9-2020.9,中国科学院大学,博士
工作经历:
2021.1-2023.3,ポーカー 賭博物理与电子电气工程学院
2023.3至今,ポーカー 賭博
讲授课程:
电磁场与电磁波、传感器原理及应用
智能探测与智能传感,新型半导体光电器件与芯片
1.宁夏重点研发项目,紫外光通信关键器件设计与应用研究,2022.01至2023.12,在研,主持
2.宁夏自然科学基金,AlGaN基深紫外LED器件可靠性及失效机理研究,2022.01至2024.01,在研,主持
3.国家自然科学基金面上项目,高品质因子GaN基回音壁谐振腔调控机理研究,2020.01.01至2023.12.31,63万元,在研,参与
4.宁夏青年科技托举人才项目,2024.01至2027.01,在研,主持
代表性论文:
1.Ma Z, Ma C, Ma X, et al. Degradation mechanisms of perovskite nanocrystals in color-converted InGaN micro-light-emitting diodes. OpticsExpress, 2022, 30(20): 36921-36930.
2.Ma Z, Li X, Zhang C, et al. CsPb(Br/I)3Perovskite Nanocrystals for Hybrid GaN-Based High-Bandwidth White Light-Emitting Diodes. ACS Applied Nano Materials, 2021, 4(8): 8383-8389.
3.Ma Z, Almalki A, Yang X, et al. The influence of point defects on AlGaN-based deep ultraviolet LEDs. Journal of Alloys and Compounds, 2020, 845: 156177.
4.Ma Z, Cao H, Lin S, et al. Optical and frequency degradation behavior of GaN-based micro-LEDs for visible light communication. Optics Express, 2020, 28(9): 12795-12804.
5.Ma Z, Cao H, Lin S, et al. Degradation and failure mechanism of AlGaN-based UVC-LEDs. Solid-State Electronics, 2019, 156: 92-96.
主编或参编的学术著作或教材:
专利及软件著作:
申请国家发明专利3项
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