杨向红，男，1990年10月出生，宁夏固原人，中共党员，工学博士，讲师。2023年9月博士毕业于西安交通大学电子科学与技术专业，本/硕/博在校期间曾获国家级、省部级及校级奖励荣誉30余项。目前主要从事光导半导体开关器件及其在脉冲功率和高功率微波领域应用研究，以第一作者及通讯作者在微电子器件领域国际顶级期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices上公开发表SCI论文10余篇，论文总引用超过50次，授权发明专利3项；主持中央高校基本科研业务费专项资金项目、中国博士后科学基金-国资计划项目和研究生创新科研重点资金项目各1项；参与军委科技委课题2项、国家自然科学基金重点项目及面上项目各1项、国家重点实验室基金2项，***部队研究所/高校、中国电子科技集团***研究所等重点研究单位横向课题5项。

学习经历：

2010.09-2014.06，黑龙江大学，电子科学与技术，学士

2014.09-2017.06，黑龙江大学，微电子学与固体电子学，硕士

2019.09-2023.09，西安交通大学，电子科学与技术，博士

工作经历：

2017.06-2019.06，四川轻化工大学，自动化与信息工程学院

2023.09-2024.06，西安交通大学，微电子学院

2024.09至今，ポーカー 賭博，ポーカー 賭博

讲授课程：

半导体制程设备技术、微处理器与接口技术

光导半导体开关器件及工艺（大功率砷化镓光电导开关、频率可调的宽禁带氮化镓光电导开关），固态脉冲功率及高功率微波技术，半导体型气体及生物传感技术

1.中国博士后科学基金-国资计划项目，用于新型固态化微波产生的高频氮化镓光导开关研究，在研，主持。

2.中央高校基本科研业务费专项资金资助项目,面向高功率微波系统应用的宽禁带GaN光导开关研究，结题，主持。

3.黑龙江大学研究生创新科研重点资金项目，单片集成化三维磁场传感器研究，结题，主持。

4.国家自然科学基金重点项目，大功率宽频可调谐GaN线性光导型微波器件研究，在研，参与。

5.国家自然科学基金面上项目，用于新型微波产生的长寿命雪崩砷化镓光导开关研究,在研，参与。

6.先进高功率微波技术重点实验室，新型***器件研究，在研，参与。

7. ***大学，三维异质***散热技术，在研，参与。

8. ***部队高校，氮化镓光导开关加工封测，结题，参与。

9.军委科技委，轻小型***技术，结题，参与。

10.军委科技委，碳基***检测技术，结题，参与。

11.中国电子科技集团***研究所，GaN光导开关基础理论研究及高压固态脉冲电源研制，结题，参与。

12. ***部队研究所，光导开关及其同步触发，结题，参与。

13.脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金，宽禁带氮化镓光导开关雪崩工作机理研究，结题，参与。

代表性论文：

1. Hu L*,Yang X H*, et al., Electric-field dependence of photocurrent performance characterization of gallium nitride photoconductive semiconductor switch for pulse power applications [J].IEEE Transactions on Electron Devices, Accepted, 2024.

2. Yang Y X, Hu L*,Yang X H*, et al., Enhanced durability of high-power avalanche GaAs photoconductive semiconductor switch utilizing advanced double-sided cooling configuration [J],IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 71, No. 9, pp. 3565-3569, Jul. 2024.

3. Yang Y X, Hu L*,Yang X H*, et al., Reducing dark-state current for GaAs photoconductive semiconductor switch by ultrafine grinding process [J],IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 71, No. 6, pp. 3565-3569, Apr. 2024.

4. Hu long*, Huang J*, Zhu Z J,Yang X H*, et al., Effect of beam profiles on photoelectric efficiency of side-illuminated HPSI 4H-SiC PCSS [J].IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 36, No. 11, pp. 717-720, Apr. 2024.

5. Yang Y X,Yang X H*, et al., Fabrication of avalanche GaAs photoconductive switch with opposed-electrode structure and its switching characteristics [J],HighPower Laser and Particle Beams, Nol. 36, No. 10, Oct. 2024.

6.Huang J, Hu L*,Yang X H, et al., Modelling and simulation of Fe-doped GaN PCSS in high-power microwave [J].IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 70, No. 7, pp. 3489-3495. May. 2023.

7.Hu L, Huang J,Yang X H, Shen X, et al., Analysis of the avalanche operation of a GaN photoconductive semiconductor switch [J].IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 70, No. 11, pp. 5778-5785, Nov. 2023.

8. Huang J, Hu long, Ma Z Z, Zhu L,Yang X H, et al. Study on Photoelectric Efficiency and Failure Mechanism of High Purity 4H-SiC PCSS.IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 70, No. 11, pp. 5762-5768, Nov. 2023.

9.Yang X H, Hu L*, Yang Y X, et al., Improved photocurrent for gallium nitride photoconductive semiconductor switch by SiO₂anti-reflection and (SiO₂|Ta₂O₅)⁶high-reflection dielectric films [J].IEEE Electron Device Letters, Vol. 44, No. 10, pp. 1696-1699, Oct. 2023.

10.Yang X H, Hu L*, Liu J L, et al., Si₃N₄passivation and side illumination of high-power photoconductive semiconductor switch based on free-standing SI-GaN [J].IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 70, No. 3, pp. 1128-1133, Mar. 2023.

11.Yang Y X,Yang X H, et al., Pd/Ge/Ti/Pt/Au metal stack on semi-insulating gallium arsenide: ohmic contact and temperature dependence [J].IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 70, No. 9, pp. 4604-4611, Sep. 2023.

12.Yang X H, Yang Y X, Hu L*, et al., The initial test of a micro-joules trigger, picosecond response, vertical GaN PCSS [J].IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 35, No. 2, pp. 69-72, Jan. 2023.

13.Yang X H, Hu L, Dang X, et al., Low specific contact resistivity of 10^-3Ω·cm²for Ti/Al/Ni/Au multilayer metals on SI-GaN:Fe substrate [J].IEEE Transactions on Electron Devices,Vol. 69, No. 10, pp. 5773-5779, Oct. 2022.

14.Yang X H, Ao J P, Li X*, et al., Improved sensitivity and stability for SnO₂ion-sensitive field-effect transistor based pH sensor by electrical double layer gate and Al₂O₃dielectric film [J].IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 69, No. 11, pp. 6284-6289, Aug. 2022.

15. Dang X,Yang X H,et al., Preparation Technology and Performance Test of GaAs Photoconductive Semiconductor Switch Electrodes [J], Journal of Xi’an Jiao Tong University, Vol. 56, No. 2, pp. 184-190, Feb. 2022.

16.Yang X H, Ao J P, Wu S C, et al., Enhancing the sensitivity of GaN high electron mobility transistors-based pH sensor by dual function of monolithic integrated planar multi-channel and ultraviolet light [J].IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 68, No. 12, pp. 6437-6443, Dec. 2021.

17. Sun Y, Hu L, Dang X, Zhu L.Yang X H, et al., Investigation on the Mechanism of Triggering Efficiency of High-Power Avalanche GaAs Photoconductive Semiconductor Switch [J],IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 42, No. 11, pp. 61646-1649, Nov. 2021.

18.Yang X H, Ao J P, Wu S C, et al., Low-power pH sensor based on narrow channel open-gated Al_0.25Ga_0.75N/GaN HEMT and package integrated polydimethylsiloxane micro-channels [J].Materials, Vol. 13, No. 22, Nov. 2020.

19.Yang X H, Zhao X F*, Bai Y J, et al., 2D magnetic field sensor based on siliconmagneticsensitive transistors with differential structure [J]. Micromachines, Vol. 8, No. 4, Apr. 2017.

20. X. F. Zhao*,X. H. Yang,et al., Characteristics research of the three dimensional Hall magnetic field sensor based on packaging technology.Sensors & Transducers,Vol. 197, no. 2, pp. 14-19. Feb. 2016.

21.Zhao X F*,Yang X H, Yu Y, et al., Characteristics of 2D magnetic field sensor based on magnetic sensitivity diodes [J].AIP Advance, Vol. 5, No. 4, pp. 040321-1-6, Apr. 2015.

22.T. Wu, X. F. Zhao*,X. H. Yang, et al., An integrated pressure and magnetic field sensor based on piezoresistance effect.Key Engineering Materials. 2015. Vol. 645-646: 610-615.

23.杨向红等人., 15 kV半绝缘GaN光电导开关[C],第八届全国脉冲功率技术交流会论文集,西安. CPPC 2023-0039.

24.杨向红等人., Two-dimensional magnetic field sensor based on silicon magnetic sensitivity transistors with differential structure,中国微米纳米技术学会第十八届学术年会暨微系统与纳米工程高层论坛,北京, 2016.07（Oral-获优秀论文奖）.

25.杨向红等人., Effect of recess depth on the performance of gate-recessed AlGaN/GaN high electron mobility transistor biosensors,第四届亚洲表面、涂层和纳米结构材料国际学术会议,西安. 2019.10（Oral）.

主编或参编的学术著作或教材：

专利及软件著作：

授权国家发明专利3项，实用新型专利1项。

2023年西安交通大学优秀博士毕业生；2022年全志科技企业奖学金、杭州瑞盟科技英才企业奖学金、中国光谷企业奖学金；2020-2022连续三年西安交通大学一等学业奖学金和优秀博士研究生；2017年指导学生参加第二届四川省大学生机器人大赛荣获三等奖；2017年优秀硕士学位论文和优秀硕士毕业生；2016年中国微米纳米技术学术年会优秀论文奖、湖南省青少年发展基金会第十九届芙蓉学子大型公益活动和第十一届榜样力量优秀大学生评选活动“芙蓉学子—榜样力量”学术创新奖、第十届国际大学生iCAN创新创业大赛黑龙江省赛区选拔赛三等奖；2015年黑龙江大学第二十届“校园最佳大学生”最佳科技创新奖、黑龙江省“三好学生”和黑龙江大学“三好学生”；2014-2015连续两年硕士研究生国家奖学金和一等学业奖学金；2012年国家励志奖学金等。